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TLC短命纯系谣言 三星850 EVO寿命评测 狂写400TB

随着成本的降低,SSD逐渐想主流用户市场普及,特别是TLC SSD的推出,连最后的容量问题也得到了一并解决。不过TLC由于单位Cell要存储更多的数据,其寿命相对传统的MLC产品来说要低出数倍,标准的TLC耐久寿命通常只有1000 PE,为此我们选择了市场上典型的TLC产品850 EVO做了简单的耐久测试,以验证TLC的真实寿命。

TLC短命纯系谣言 三星850 EVO狂写400TB

三星 850 EVO SATA III(250GB)

 

寿命问题

TLC最让人担忧的无疑是其写入寿命,在耐久之前笔者也是抱着怀疑的态度,特别是在初期,我们每次的测试间隔仅为50TB,依次经历了50TB、100TB、150TB、200TB,直至400TB的耐久测试。测试三星850 EVO SSD的序列号为S21MNWAFB00118E。

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耐久测试前的全新850 EVO 250GB SSD

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50TB耐久写入

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100TB耐久写入

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150TB耐久写入

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200TB耐久写入

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400TB耐久写入

在写入完200TB数据后,三星这块850 EVO SSD已经顺利的完成了1000 PE,为此后面的测试我们直接将其写入数据翻倍至400TB,耐久写入时间也达到了前面所有测试阶段的总和。

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400TB耐久写入完成无写入错误

不过最终400TB数据写完后,TLC SSD的耐久问题并没有出现,要知道这一数据已经达到了TLC闪存标称PE的两倍。所以TLC的写入寿命远没有我们想象的那么脆弱,实际上以400TB来计算,即使每天写入100GB的数据,每天不间断完成数据写入,也需要11.2年才能写入400TB的数据,显然我们勿须担心寿命的问题。

掉速问题

当然SSD的长时间写入也会影响其后续的读写速率,毕竟SSD相比传统HDD最大的优势就是读写速率,如果没有高速的读写优势,那么SSD的优势就荡然无存,TLC SSD的耐久写入数据掉速是否影响用户实际体验呢?

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耐久测试前的读写性能

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400TB耐久写入后的读写性能

    从上面的CrystalDiskMark测试数据来看,耐久测试前三星850 EVO SSD的持续读写性能分别为548.6MB、s、526.5MB/s,而400TB写入完成后,其持续读写性能分别为549.2MB/s和525.6MB/s,读写性能基本保持一致,并没有出现下降。

4K随机读写性能方面,耐久写入之前分别为33.31MB/s、125.9MB/s,400TB耐久写入完成后,4K读写成绩分别为23.23MB/s和125.6MB/s,4K随机写入下降了约10MB/s,而读取性能基本没受到影响。

测试小结

通过上面的测试数据来看,TLC SSD的寿命问题基本不用担心,实际测试完成标称耐久2倍的数据写入量并没有让SSD崩溃,相反后续的读写性能还有不错的表现,持续读写性能并没有受到影响,只是4K随机写入性能出现了一定的性能下降。

TLC短命系谣言 三星850 EVO狂写400TB

TLC SSD出色的性价比使其成为市场主流的关键,同时性能也有不错的表现,在寿命问题被剔除后,用户便没有了后顾之忧,是时候普及了!

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